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Si4563DY
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
1.2
16
V GS = 10 thru 3 V
1.0
0.8
12
0.6
8
0.4
T C = 125 °C
25 °C
4
0
2V
0.2
0.0
- 55 °C
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
0.0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
0.020
0.018
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
3500
2800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.016
0.014
0.012
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2100
1400
700
C oss
0.010
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
8
16
24
32
40
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
6
4
2
0
I D = 5 A
V DS = 10 V
V DS = 20 V
V DS = 30 V
1.5
1.2
0.9
0.6
I D = 5 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
0
12
24
36
48
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73513
S09-0393-Rev. C, 09-Mar-09
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